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半导体ALN(氮化铝)医疗用高功率深紫外芯片
作者: 发布时间:2025-03-21 编辑:朱老师 来源: 浏览次数:

项目简介:武汉大学研发的基于ALN(氮化铝)技术的医疗用高功率深紫外芯片,具有高输出功率、高光电效率和高导电率,能有效进行实时消毒和污染物处理。产品涵盖医疗、工业环保、民生健康等领域,具有体积小、效率高、无二次污染等优势,灭菌率高达99.9%,为医疗卫生管理带来创新解决方案。


联系电话:027-68778353,68778262         电子邮箱:00008606@whu.edu.cn  通讯地址:湖北省武汉市洪山区珞喻路87号    邮政编码:430074        

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